升级关（e）处于弯曲状态的LCP（厚度为50μm）层支撑的柔性Si-NM集成电路（RFIC）的照片。
中国制造(d)由D3d单层按不同方式堆砌而成的三种硒化铟新相的声子谱图。图三、突破硒化铟新相的电子结构：突破对比了三种硒化铟新相的带隙值随层数的变化，发现其中的δ(D3d)相具有高达1.5eV的宽带隙变化范围，显著宽于其它结构（1.2~1.3eV）。
总结与展望综上所述，技术键作者利用结合人工智能粒子群优化算法与第一性原理计算的全局材料结构搜索，技术键从理论上设计出一类由新型单层结构构成的二维半导体硒化铟新相。结合人工智能粒子群优化算法与第一性原理计算，瓶颈设计的硒化铟新相由D3d单层构成，D3d单层与已知D3h单层截然不同，具有中心反演对称性。升级关(b)(D3d)相和γ(D3h)相的拉曼光谱图对比。
图四、中国制造硒化铟新相的电子迁移率：利用基于有效质量近似和形变势方法计算得到的新相电子迁移率也均高于同等厚度下的已知相。突破(a)D3d单层和D3h单层结构的轨道投影能带图。
图五、技术键硒化铟新相的实验鉴别：技术键X射线衍射法可以有效地区分大部分物相，而其中无法区分的(D3d)相和γ(D3h)相可通过拉曼光谱（150~200cm-1区间存在差异）进行鉴别。
背景介绍作为重要的二维半导体材料，瓶颈硒化铟（InSe）具有高达1×103 cm2V-1s-1的室温电子迁移率，瓶颈及超宽的光谱响应范围（从体相减薄至单层，带隙值可增加1.0eV）等特点，因而在电子和光电子器件，如场效应晶体管、光电探测和影像传感等领域有重要应用价值。毕竟母猫发情时受孕的几率是很高的，升级关如果检查出有宝宝，主人就要做好相关的孕期照顾，以及准备好待产的用品，迎接猫宝宝的到来。
如连续操作3日，中国制造仍无效果。对此，突破主人可以试试用猫咪感兴趣的玩具，比如：逗猫棒、老鼠、玩具球等等，让猫咪追逐和跳跃。
注意：技术键1、棉签必须使用棉签头紧裹，无法抽下棉丝的。将棉签沾上婴儿油，瓶颈以不滴下油滴为宜。